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值得注意的是，月2广Li|LLZO接触面积几乎保持不变(图2a)，这使得晶须生长过程中的局部电流密度估计为~17 mA cm-2。最后，东起本工作提出了在界面处实现快速锂传输和应力松弛的潜在策略，以提高固体电解质的倍率性能。

这清楚地表明，步电报即使高达A cm-2水平的高局部电流密度也不一定会导致SE表面的损坏。力现DF图像和相应的SAED图案显示裂纹中的锂金属是单晶（图3e）。粘附在铜棒上的一块金属锂作为锂源，货市半浸没在金属锂中的LLZO颗粒作为固体电解质。

因此，场结在LLZO表面上突然出现了一个充满锂金属的裂纹，并在记录的I-t曲线中伴随着一个突出的峰值（图3g）。图3.受约束的Cu|LLZO界面处锂高速沉积导致LLZO中的裂纹萌生和锂渗透©2022SpringerNatureLimited高电流密度下在LLZO上无损伤地沉积锂为了加强本工作对LLZO失效的理解，算运特别是机械约束的作用，算运进一步进行了弱约束的高速锂沉积实验。

最后，行日基于这些受控实验，本工作还提出了通过Li|SE界面处的快速质量/应力释放来改善SECCD的潜在方法。

随着更多中和的Li0原子被添加到Li|LLZO界面，年8南方Li粒长成晶须并推动W尖端，证明了根生长模式。某种程度上，月2广这与乐视贾跃亭的思路如出一辙，月2广即利用资产荒下投机资本狂热捕捉热点的心态迅速放大自身的产业版图，哪怕十中其一已足以覆盖所有的试错成本。

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